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Substrate:LiTaO3;LiNiO3;Al2O3
LiTaO3 Wafer
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Specifications
材料Material3" 4" 6" Wafer 钽酸锂晶片(SAW wafer声表级/Optical level光学级)切型 CutX112°/Y28°/Y36°/Y42°/YZ 可定制切角居里温度Juli Temp605°C±3°C掺杂DotFe 铁
材料Material
3" 4" 6" Wafer 钽酸锂晶片
(SAW wafer声表级/Optical level光学级)
切型 Cut
X112°/Y28°/Y36°/Y42°/YZ 可定制切角
居里温度Juli Temp
605°C±3°C
掺杂Dot
Fe 铁
LiNiO3 Wafer
直径Diameter76.2±0.2mm100±0.2mm150±0.2mm200±0.2mm主平台22±1mm32±1mm47.5mm, 57.5mm, Notch57.5mm, Notch还原 标黑、超黑或按要求定制切型CutX / Z / Y41° / Y64° / Y128° / YZ / YX厚度0.20mm~5.0mm0.25mm~5.0mm0.35mm~5.0mm0.35mm~5.0mm表面处理单面抛光、双面抛光、研磨TTV< 1~5µmBOW± (20µm ~40um )Warp<= 20µm ~ 50µmLTV (5mmx5mm)<1.5 umPLTV(<0.5um)≥98% (5mm*5mm) 边缘 2mm除外主面 Ra粗糙度 Ra<=5A背面处理粗糙度 Ra:0.5-1.0µm, GC#1000S/D20/10, 40/20, 60/40边缘按照 SEMI M1.2@with GC800# . C 型裂缝、锯痕、污点
直径Diameter
76.2±0.2mm
100±0.2mm
150±0.2mm
200±0.2mm
主平台
22±1mm
32±1mm
47.5mm, 57.5mm, Notch
57.5mm, Notch
切型Cut
厚度
0.20mm~5.0mm
0.25mm~5.0mm
0.35mm~5.0mm
表面处理
单面抛光、双面抛光、研磨
TTV
< 1~5µm
BOW
± (20µm ~40um )
Warp
<= 20µm ~ 50µm
LTV (5mmx5mm)
<1.5 um
PLTV(<0.5um)
≥98% (5mm*5mm) 边缘 2mm除外
主面 Ra
粗糙度 Ra<=5A
背面处理
粗糙度 Ra:0.5-1.0µm, GC#1000
S/D
20/10, 40/20, 60/40
边缘
按照 SEMI M1.2@with GC800# . C 型
裂缝、锯痕、污点